Des chercheurs de l'Université d'Hokkaido au Japon ont développé un matériau innovant qui double la capacité de stockage des clés USB et cartes SD.
Une avancée majeure pour la mémoire flash. Les clés USB, cartes mémoire pour smartphones, lecteurs MP3, appareils photo et PDA reposent sur la mémoire flash, une technologie non volatile basée sur l'EEPROM. Celle-ci permet d'écrire ou d'effacer des données en une seule opération de programmation.
Les scientifiques ont enrichi cette technique en intégrant une composante magnétique aux signaux électroniques classiques, qui codent les informations en binaire (zéros et uns). Cette innovation permet d'écrire simultanément dans deux zones distinctes du support, "A" et "B", de taille identique et indépendantes du stockage électronique traditionnel, doublant ainsi la capacité totale.
Le procédé utilise deux variantes d'oxyde de strontium-cobalt : l'une magnétique, l'autre non. Un faible courant de 3 volts (un septième de la consommation d'une clé USB standard) suffit à activer la forme magnétique.
La vitesse d'écriture sur la partie magnétique reste à optimiser : 3 secondes actuellement, contre un centième de seconde pour les technologies existantes.
